2N6518 Datasheet, PDF, схема, по применению

2N6518 приложений, пакетов, Pin

Применение Русский :

Применение английский : High voltage transistor. Collector-emitter voltage Vceo = -250V. Collector-base voltage Vcbo = -250V. Collector dissipation Pc(max) = 0.625W.

Производитель : Usha

Упаковка :

Pin :

---

Применение Русский :

Применение английский : PNP Epitaxial Silicon Transistor - High Voltage Transistor

Производитель : Fairchild

Упаковка :

Pin :

---

Применение Русский :

Применение английский : PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Производитель : Samsung semiconductor

Упаковка :

Pin :

Datasheet PDF

---

Применение Русский :

Применение английский : PNP Epitaxial Silicon Transistor

Производитель : Fairchild Semiconductor

Упаковка :

Pin :

Datasheet PDF

---

Применение Русский :

Применение английский : Small Signal Transistors

Производитель : Central Semiconductor Corp

Упаковка :

Pin :

Datasheet PDF

---

Применение Русский :

Применение английский : PNP High Voltage Transistor(PNP???????????

Производитель : Fairchild Semiconductor

Упаковка :

Pin :

Datasheet PDF

---

Применение Русский :

Применение английский : PNP Epitaxial Silicon Transistor

Производитель : Fairchild Semiconductor

Упаковка :

Pin :

Datasheet PDF

---

Применение Русский :

Применение английский : PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Производитель : Samsung semiconductor

Упаковка :

Pin :

Datasheet PDF

---

Применение Русский :

Применение английский : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Производитель : SAMSUNG[Samsung semiconductor]

Упаковка :

Pin :

---

Применение Русский :

Применение английский : Epitaxial Silicon Transistor

Производитель : FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]

Упаковка :

Pin :

---