IRFPE30 Datasheet, PDF, схема, по применению

IRFPE30 приложений, пакетов, Pin

Применение Русский :

Применение английский : HEXFET power MOSFET. VDSS = 800 V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1 A

Производитель : IR

Упаковка :

Pin :

---

Применение Русский :

Применение английский : WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Производитель : IRF[International Rectifier]

Упаковка :

Pin :

---

Применение Русский :

Применение английский : Power MOSFET

Производитель : Vishay

Упаковка :

Pin :

---

Применение Русский :

Применение английский : Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)

Производитель : International Rectifier

Упаковка :

Pin :

---