IRG4BC20MD Datasheet, PDF, схема, по применению

IRG4BC20MD приложений, пакетов, Pin

Применение Русский :

Применение английский : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.85V @ VGE = 15V, IC = 11A

Производитель : IR

Упаковка :

Pin :

---

Применение Русский :

Применение английский : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)

Производитель : IRF[International Rectifier]

Упаковка :

Pin :

---

Применение Русский :

Применение английский : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)

Производитель : International Rectifier

Упаковка :

Pin :

---