K4E160812D-F Datasheet, PDF, схема, по применению

K4E160812D-F приложений, пакетов, Pin

Применение Русский :

Применение английский : 2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.

Производитель : Samsung

Упаковка :

Pin :


K4E160812D-F Диаграмма цепи и Pic

K4E160812D-F поставщиков