W4TXE0X-0D00 Datasheet, PDF, схема, по применению

W4TXE0X-0D00 приложений, пакетов, Pin

Применение Русский :

Применение английский : Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Производитель : Cree

Упаковка :

Pin :

---